NSV60101DMTWTBG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDFN-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.2 V

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS60101DMT

DC電流ゲインhFEMax：

250

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

150

Pd-消費電力：

2.27 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000600 oz

Tags

NSV601, NSV6, NSV