IXTQ86N25T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

トレンチゲート

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

25 ns

Id-連続ドレイン電流：

86 A

Pd-消費電力：

540 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

37 mOhms

立ち上がり時間：

28 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

溝

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Tags

IXTQ8, IXTQ, IXT