FDU6N25

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Id-連続ドレイン電流：

4.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

50 W

構成：

独身

包装：

チューブ

高さ：

6.3 mm

長さ：

6.8 mm

シリーズ：

FDU6N25

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

2.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.5 S

立ち下がり時間：

34 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

60 ns

ファクトリーパックの数量：

5040

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

単位重量：

0.019013 oz

Tags

FDU6N, FDU6, FDU