IPB031NE7N3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

75 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

117 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

214 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

75 S

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

85 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

IPB031NE7N3GATMA1 IPB31NE7N3GXT SP000641730

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IPB031NE7N3G, IPB031NE, IPB031, IPB03, IPB0, IPB