QH8KA1TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

56 mOhms, 56 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

3 nC, 3 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.4 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.7 S, 1.7 S

立ち下がり時間：

3.5 ns, 3.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.5 ns, 7.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns, 10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 5 ns

パーツ番号エイリアス：

QH8KA1

Tags

QH8KA, QH8K, QH8