NST65011MW6T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

65 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

600 mV

最大DCコレクタ電流：

100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

Pd-消費電力：

380 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000265 oz

Tags

NST