2N6551

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-202-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

375 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2N6551

DC電流ゲインhFEMax：

300 at 50 mA, 1 V

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25 at 500 mA, 1 V

Pd-消費電力：

10 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N6551 PBFREE

Tags

2N655, 2N65, 2N6