FDME410NZT

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UMLP-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

9.2 nC

Pd-消費電力：

1.4 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

シリーズ：

FDME410NZT

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.6 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

35 S

立ち下がり時間：

3.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.4 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.3 ns

単位重量：

0.001058 oz

Tags

FDME, FDM