DMN1019USN-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-59-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

9.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

41 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

530 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

50.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

16.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

57.6 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.6 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

DMN1019US, DMN1019, DMN101, DMN10, DMN1, DMN