SN74HCT645DWR

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

バストランシーバー

JBoss：

Y

ロジックファミリ：

HCT

入力レベル：

TTL

出力レベル：

CMOS

出力タイプ：

3-State

高レベル出力電流：

- 6 mA

低レベル出力電流：

6 mA

伝播遅延時間：

25 ns

供給電圧-最大：

5.5 V

供給電圧-最小：

4.5 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

パッケージ/ケース：

SOIC-20

包装：

リール

関数：

バストランシーバー

高さ：

2.35 mm

長さ：

12.8 mm

回路数：

8

動作温度範囲：

- 40 C to + 85 C

製品：

標準トランシーバー

シリーズ：

SN74HCT645

テクノロジー：

CMOS

幅：

7.52 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

取り付けスタイル：

SMD / SMT

チャネル数：

8

供給電流-最大：

8 uA

動作供給電圧：

4.5 V to 5.5 V

極性：

非反転

製品タイプ：

バストランシーバー

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

ロジックIC

単位重量：

0.017662 oz

Tags

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