IXTH76P10T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

76 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Qg-ゲートチャージ：

197 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

298 W

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchP

包装：

チューブ

高さ：

21.46 mm

長さ：

16.26 mm

シリーズ：

IXTH76P10

タイプ：

TrenchPパワーMOSFET

幅：

5.3 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

35 S

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

52 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTH7, IXTH, IXT