BF510,215

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

JFET

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

30 mA

最大ドレインゲート電圧：

20 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

製品：

RF JFET

タイプ：

JFET

幅：

1.4 mm

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.0001 S

ゲート-ソースカットオフ電圧：

0.8 V

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

-

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

933505270215

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BF510, BF51, BF5