2N3055H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-204-2

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.1 V

最大DCコレクタ電流：

15 A

ゲイン帯域幅積fT：

2.5 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

8.51 mm (Max)

長さ：

39.37 mm

包装：

トレイ

幅：

26.67 mm (Max)

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

15 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

115 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.056438 oz

Tags

2N3055, 2N305, 2N30, 2N3