FDMS3660AS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

13 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V, 2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V, 20 V

Qg-ゲートチャージ：

21 nC, 64 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.2 W, 2.5 W

構成：

デュアル

商標名：

パワーステージPowerTrench

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

FDMS3660AS

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

173 S, 240 S

立ち下がり時間：

3 ns, 5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns, 5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns, 38 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns, 12 ns

単位重量：

0.006032 oz

Tags

FDMS3660, FDMS366, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM