EMG3T2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアルエミッタ接地

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

4.7 kOhms

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EMT-5

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

EMG3

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

600

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

高さ：

0.5 mm

長さ：

1.6 mm

幅：

1.2 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

EMG3

Tags

EMG3T, EMG3, EMG