2SB1132T100P

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MPT-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 32 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.2 V

最大DCコレクタ電流：

- 1 A

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1132

DC電流ゲインhFEMax：

390

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.5 mm

包装：

リール

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

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