CGH40006S

Mfr. #:: CGH40006S
メーカー:: N/A
説明:: RF JFET Transistors DC-6GHz 28V 6W Gain 11.8dB GaN HEMT
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: CGH40006S データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:: CGH40006S 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: Wolfspeed / Cree

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: リール

取り付けスタイル: SMD / SMT

動作-温度-範囲: -

パッケージ-ケース: QFN-6

テクノロジー: GaN SiC

構成: 独身

トランジスタタイプ: HEMT

利得: 13 dB

クラス: -

出力電力: 6.9 W

Pd-電力損失: -

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 40 C

応用: -

動作周波数: 2 GHz to 6 GHz

Id-連続-ドレイン-電流: 0.75 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 120 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: - 3 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: -

トランジスタ-極性: Nチャネル

フォワード-相互コンダクタンス-最小: -

開発キット: CGH40006S-KIT

Vgs-ゲート-ソース-ブレークダウン-電圧: - 10 V to + 2 V

ゲート-ソース-カットオフ-電圧: -

最大ドレインゲート電圧: -

NF-雑音指数: -

P1dB-圧縮ポイント: -

Tags: CGH4000, CGH400, CGH40, CGH4, CGH

Service Guarantees

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Vacuum Packaging with PL

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Packaging Boxes

CGH40006S 説明

***o-Tech: - 6W, RF Power GaN HEMT Plastic QFN Package

***i-Key: RF MOSFET HEMT 28V 6QFN

***hardson RFPD: RF POWER TRANSISTOR

CGH40006S 詳しくは

GaN HEMTs: Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
CGH40006S DISTI # CGH40006SCT-ND	Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	2987In Stock	100:$32.4612 1:$33.0500
CGH40006S DISTI # CGH40006SDKR-ND	Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	2987In Stock	100:$32.4612 1:$33.0500
CGH40006S DISTI # CGH40006STR-ND	Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP RoHS: Compliant Min Qty: 200 Container: Tape & Reel (TR)	2800In Stock	200:$29.5101
CGH40006S-KIT DISTI # CGH40006S-KIT-ND	Wolfspeed	FET RF HEMT 28V 100MA 440203 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Box	2In Stock	1:$597.9000
CGH40006S DISTI # 941-CGH40006S	Cree, Inc.	RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt RoHS: Compliant	575	1:$29.5100
CGH40006S-KIT DISTI # 941-CGH40006S-KIT	Cree, Inc.	RF Development Tools GaN HEMT Kit DC-6GHz 28V, 6 Watt RoHS: Compliant	2	1:$550.0000
CGH40006S DISTI # CGH40006S	Wolfspeed	RF POWER TRANSISTOR RoHS: Compliant	197	1:$29.5100

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: CGH40006S OMO.#: OMO-CGH40006S	RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
	Mfr.#: CGH40010F OMO.#: OMO-CGH40010F	RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
	Mfr.#: CGH40010 OMO.#: OMO-CGH40010-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40025 OMO.#: OMO-CGH40025-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40045 OMO.#: OMO-CGH40045-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40045F-TB OMO.#: OMO-CGH40045F-TB-WOLFSPEED	BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40045
	Mfr.#: CGH40045P OMO.#: OMO-CGH40045P-1190	Trans FET N-CH 84V GaN HEMT
	Mfr.#: CGH40180P OMO.#: OMO-CGH40180P-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40180PP-TB OMO.#: OMO-CGH40180PP-TB-WOLFSPEED	BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40180
	Mfr.#: CGH462T450X5L OMO.#: OMO-CGH462T450X5L-CORNELL-DUBILIER-ELECTRONICS	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 4600uF 450V-10+50%