STD3NM60T4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

42 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.4 mm

長さ：

6.6 mm

シリーズ：

STD3NM60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

6.2 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.7 S

立ち下がり時間：

10.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STD3NM6, STD3NM, STD3N, STD3, STD