NVD3055L170T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

153 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Qg-ゲートチャージ：

4.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

28.5 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NTD3055L170

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7.3 S

立ち下がり時間：

38 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

69 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.7 ns

パーツ番号エイリアス：

NVD3055L170T4G-VF01

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NVD3055L17, NVD3055L, NVD30, NVD3, NVD