TP90H180PS

製品属性

属性値

メーカー：

トランスフォム

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

GaN Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

15 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

205 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.6 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

18 V

Qg-ゲートチャージ：

10 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

78 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

トランスフォム

立ち下がり時間：

7.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

26 ns

Tags

TP90, TP9