ZXTP2008ZQTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 130 mV

最大DCコレクタ電流：

- 5.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

110 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

300

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

- 5.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

Pd-消費電力：

12 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

ZXTP2008Z, ZXTP2008, ZXTP200, ZXTP20, ZXTP2, ZXTP, ZXT