IXZR18N50B-00

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

19 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

370 mOhms

出力電力：

350 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

包装：

チューブ

シリーズ：

IXZR18

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.7 S

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

Qg-ゲートチャージ：

42 nC

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.6 V

Tags

IXZR18, IXZR1, IXZR, IXZ