NCV8402AMNWT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

42 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

165 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

14 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

8.9 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NCV8402A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

50 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

120 us

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 us

典型的なターンオン遅延時間：

25 us

Tags

NCV8402A, NCV8402, NCV840, NCV84, NCV8, NCV