ATF-331M4-TR2

製品属性

属性値

メーカー：

Broadcom Limited

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

pHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

15 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

5.5 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 5 V

Id-連続ドレイン電流：

305 mA

最大ドレインゲート電圧：

- 5 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 160 C

Pd-消費電力：

400 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ミニパック

包装：

リール

構成：

シングルデュアルソース

高さ：

0.7 mm

長さ：

1.44 mm

動作周波数：

2 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs pHEMT

幅：

1.2 mm

ブランド：

Broadcom / Avago

フォワード相互コンダクタンス-最小：

440 mmho

NF-雑音指数：

0.6 dB

P1dB-圧縮ポイント：

19 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

ATF-331M4-T, ATF-331M, ATF-33, ATF-3, ATF