PD55025TR-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12.5 V

利得：

14.5 dB

出力電力：

25 W

最高作動温度：

+ 165 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerSO-10RF-2

包装：

リール

構成：

単一の共通ソース

動作周波数：

500 MHz

シリーズ：

PD55025-E

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

40 V

Tags

PD55025, PD5502, PD550, PD55, PD5