PD57006STR

Mfr. #:: PD57006STR
メーカー:: STMicroelectronics
説明:
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: PD57006STR データシート
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ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: STMicroelectronics

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

シリーズ: PD57006-E

タイプ: RFパワーMOSFET

包装: リール

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: PowerSO-10RF (Straight Lead)

テクノロジー: Si

利得: 15 dB at 945 MHz

出力電力: 6 W

Pd-電力損失: 20 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 65 C

動作周波数: 1 GHz

Vgs-Gate-Source-Voltage: +/- 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 1 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 65 V

トランジスタ-極性: Nチャネル

Tags: PD57006S, PD57006, PD5700, PD570, PD57, PD5

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
PD57006STR-E DISTI # PD57006STR-E	STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 65V 1A 4-Pin(2+2Tab) PowerSO-10RF (Straight lead) T/R - Tape and Reel (Alt: PD57006STR-E) RoHS: Compliant Min Qty: 600 Container: Reel	Americas - 0	6000:$9.7900 3600:$9.9900 2400:$10.4900 1200:$10.9900 600:$11.4900
PD57006STR-E DISTI # PD57006STR-E	STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 65V 1A 4-Pin(2+2Tab) PowerSO-10RF (Straight lead) T/R (Alt: PD57006STR-E) RoHS: Compliant Min Qty: 600 Container: Tape and Reel	Europe - 0	6000:€7.8900 3600:€8.1900 2400:€8.3900 1200:€8.8900 600:€9.5900
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PD57006STR-E DISTI # 511-PD57006STR-E	STMicroelectronics	RF MOSFET Transistors RF Power Transistor N Chnl RoHS: Compliant	0
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画像	モデル	説明
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	Mfr.#: PD57070S OMO.#: OMO-PD57070S-STMICROELECTRONICS	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10