IXFN52N90P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

43 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

160 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

132 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

890 W

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFN52N90

タイプ：

ポーラーパワーMOSFET

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

35 S / 20 S

立ち下がり時間：

42 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

80 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

95 ns

典型的なターンオン遅延時間：

63 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

IXFN52, IXFN5, IXFN, IXF