IRF840PBF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

850 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

63 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

IRF

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.9 S

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

49 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

パーツ番号エイリアス：

SIHF840-E3

単位重量：

0.211644 oz

Tags

IRF840PBF, IRF840PB, IRF840P, IRF840, IRF84, IRF8, IRF