MJD200T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

8 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.8 V

最大DCコレクタ電流：

5 A

ゲイン帯域幅積fT：

65 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD200

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

リール

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

70

Pd-消費電力：

12.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.035274 oz

Tags

MJD200T4, MJD200T, MJD200, MJD20, MJD2, MJD