IRFBE30PBF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

4.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

78 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

15.49 mm

長さ：

10.41 mm

シリーズ：

IRFBE

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.5 S

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

33 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

82 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFBE30P, IRFBE3, IRFBE, IRFB, IRF