NTB30N20T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

68 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

214 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.29 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

20 S

立ち下がり時間：

24 ns, 88 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns, 70 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns, 82 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 12 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTB30N2, NTB30N, NTB30, NTB3, NTB