2SC5551AE-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PCP-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

2 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.3 V

最大DCコレクタ電流：

300 mA

ゲイン帯域幅積fT：

3.5 GHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SC5551A

DC電流ゲインhFEMax：

270

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

300 mA

Pd-消費電力：

1.3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001804 oz

Tags

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