FDD10N20LZTM

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

7.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

300 mOhms

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

56 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

FDD10N20LZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD10N, FDD10, FDD1, FDD