STW26NM60ND

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

21 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

145 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

54.6 nC

Pd-消費電力：

190 W

構成：

独身

包装：

チューブ

シリーズ：

STW26NM60ND

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

27.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14.5 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

69 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

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