2SB1216T-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V, - 100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

120 V, - 120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

150 mV, - 200 mV

最大DCコレクタ電流：

8 A, - 8 A

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz, 130 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1216

包装：

バルク

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

4 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

70

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.139332 oz

Tags

2SB1216T, 2SB1216, 2SB121, 2SB12, 2SB1, 2SB