DMN3016LFDE-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

U-DFN2020-E-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

25.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.02 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.6 mm

長さ：

2 mm

製品：

エンハンスメントモードMOSFET

シリーズ：

DMN3016

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

エンハンスメントモードMOSFET

幅：

2 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

立ち下がり時間：

5.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16.5 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.8 ns

Tags

DMN3016LFDE, DMN3016LFD, DMN3016LF, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN