DMN3016LDN-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

V-DFN3030-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms, 24 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

25.1 nC, 25.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.6 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

3 mm

製品：

エンハンスメントモードMOSFET

シリーズ：

DMN3016

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

エンハンスメントモードMOSFET

幅：

3 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

立ち下がり時間：

5.6 ns, 5.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16.5 ns, 16.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26.1 ns, 26.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.8 ns, 4.8 ns

Tags

DMN3016LDN, DMN3016LD, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN