NGTB15N120IHWG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-247-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.1 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

30 A

Pd-消費電力：

278 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

15 A

ブランド：

オン・セミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

1.340411 oz

Tags

NGTB15N120I, NGTB15N12, NGTB15N1, NGTB15, NGTB1, NGTB, NGT