LET9045STR

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

利得：

18.5 dB

出力電力：

45 W

最高作動温度：

+ 165 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerSO-10RF-Straight-4

包装：

リール

動作周波数：

1 GHz

シリーズ：

LET9045

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

チャネル数：

1 Channel

Pd-消費電力：

79 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V to 15 V

単位重量：

0.105822 oz

Tags

LET904, LET90, LET9, LET