CXT5551HC TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

180 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.2 V

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

CXT5551HC

DC電流ゲインhFEMax：

250 at 10 mA, 5 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 50 mA, 5 V

Pd-消費電力：

1.2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

CXT5551HC PBFREE TR

Tags

CXT5551H, CXT555, CXT55, CXT5, CXT