FDT86113LZ

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

3.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

4.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.2 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

1.8 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

FDT86113LZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

1.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.3 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.8 ns

単位重量：

0.003951 oz

Tags

FDT861, FDT8, FDT