BSN20BKR

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

265 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.49 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

402 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Trench MOSFET

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

5.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.9 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSN20BKR, BSN20B, BSN20, BSN2, BSN