EFC6605R-TR

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WLCSP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

13.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

19.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.6 W

構成：

デュアル

包装：

リール

シリーズ：

EFC6605R

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

60800 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

678 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

44400 ns

典型的なターンオン遅延時間：

154 ns

単位重量：

0.002328 oz

Tags

EFC6605, EFC660, EFC6, EFC