IRF3709ZSPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

87 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

17 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

79 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

HEXFETパワーMOSFET

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

88 S

立ち下がり時間：

4.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

41 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001551038

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IRF3709ZS, IRF3709Z, IRF3709, IRF370, IRF37, IRF3, IRF