HBDM60V600W-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 60 V, 65 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V, 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5.5 V, 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

HBDM60

DC電流ゲインhFEMax：

300

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

包装：

リール

幅：

1.35 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

- 600 mA, 500 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

50

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000212 oz

Tags

HBD