BSS209PWH6327XTSA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

630 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

550 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

- 1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

BSS209

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

870 mS

立ち下がり時間：

4.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.6 ns

パーツ番号エイリアス：

BSS209PW BSS29PWH6327XT H6327 SP000750498

単位重量：

0.000176 oz

Tags

BSS209PWH, BSS209P, BSS209, BSS20, BSS2, BSS