NTLJD3183CZTBG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDFN-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

4.6 nC, 5.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7 S, 6.5 S

立ち下がり時間：

14 ns, 12.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.5 nS, 9 nS

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 nS, 14 nS

典型的なターンオン遅延時間：

6.2 nS, 6.6 nS

Tags

NTLJD318, NTLJD3, NTLJD, NTLJ, NTL