ZXMN3B04N8TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

8.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

ZXMN3B04

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

16.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11.5 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMN3B04N8TA, ZXMN3B04N8T, ZXMN3B04N8, ZXMN3B04N, ZXMN3B04, ZXMN3B0, ZXMN3B, ZXMN3, ZXMN, ZXM