BSS123T-HF

製品属性

属性値

メーカー：

Comchipテクノロジー

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

190 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

100 V

Qg-ゲートチャージ：

2.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

終了スタイル：

SMD / SMT

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Comchipテクノロジー

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.2 ns

Tags

BSS123T, BSS123, BSS12, BSS1, BSS