2N7002ET7G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

310 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.81 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

420 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

530 mS

立ち下がり時間：

3.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

4.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

1.7 ns

Tags

2N7002ET, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7